2022年9月9日，合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)儀式在合肥市高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園隆重舉行，該項目的順利投產(chǎn)，標(biāo)志著公司產(chǎn)業(yè)鏈源頭自主可控能力升級，公司產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程邁入新篇章。據(jù)悉，世紀(jì)金芯產(chǎn)品目前已實現(xiàn)對下游客戶批量交付。

圖1 投產(chǎn)啟動儀式現(xiàn)場

在現(xiàn)場嘉賓與媒體記者的共同見證下，合肥市委常委袁飛，合肥市人民政府副秘書長汪華余，合肥市投資促進(jìn)局局長吳文利，高新區(qū)黨工委委員、管委會副主任呂長富，合肥市產(chǎn)投集團(tuán)董事長雍鳳山，世紀(jì)金光董事長李百泉，中芯聚源合伙人兼總經(jīng)理孫玉望，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙靜，江汽集團(tuán)新能源總經(jīng)理夏順禮共同上臺為投產(chǎn)啟動儀式摁下啟動鍵，點亮生產(chǎn)線啟動臺。這一儀式的成功舉行，標(biāo)志著合肥世紀(jì)金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目正式投產(chǎn)。

投產(chǎn)儀式上，世紀(jì)金光董事長李百泉在致辭中對關(guān)心支持世紀(jì)金芯6英寸碳化硅單晶襯底項目發(fā)展的合肥市委、市政府和高新區(qū)及市區(qū)兩級職能部門、公司股東以及全體項目建設(shè)者表示衷心的感謝！他表示，該項目的順利投產(chǎn)預(yù)示著世紀(jì)金芯全產(chǎn)業(yè)鏈的成功啟航，未來“世紀(jì)金芯”將繼續(xù)與合肥攜手合作，在碳化硅領(lǐng)域深耕細(xì)作，在保持自身持續(xù)發(fā)展的同時，承擔(dān)更多的社會責(zé)任,為國家、為股東創(chuàng)造更大的社會效益和經(jīng)濟(jì)效益！

圖2 世紀(jì)金光董事長李百泉致辭

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙靜在儀式上對世紀(jì)金芯6英寸碳化硅單晶襯底項目成功投產(chǎn)表示熱烈祝賀，并衷心希望第三代半導(dǎo)體在合肥這片獨具特色的創(chuàng)新熱土上，走出一條獨具特色的產(chǎn)業(yè)生態(tài)之路。第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟也將進(jìn)一步以市場為牽引，以世紀(jì)金芯等骨干企業(yè)為依托，持續(xù)推動產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新和集群化發(fā)展。

圖3 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙靜致辭

合肥市高新區(qū)黨工委委員、管委會副主任呂長富表示，合肥世紀(jì)金芯是國內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體企業(yè)，是高新區(qū)重點引進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，高新區(qū)將堅定不移地做好項目服務(wù)和支持工作，為世紀(jì)金芯的發(fā)展壯大保駕護(hù)航，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造良好的營商環(huán)境。

圖4 合肥市高新區(qū)黨工委委員、管委會副主任呂長富致辭

據(jù)悉，該項目是世紀(jì)金光聯(lián)合合肥市、高新區(qū)、合肥產(chǎn)投集團(tuán)共同打造碳化硅功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的一期項目，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)之一，該項目的順利投產(chǎn)，可有效緩解國內(nèi)大直徑導(dǎo)電型碳化硅單晶襯底供應(yīng)緊缺的局面，對于下游芯片降低成本將起到積極作用，對提升碳化硅產(chǎn)業(yè)上、下游廠商的綜合競爭能力有很大的促進(jìn)意義。該項目總投資4.05億元，占地面積7200平方米，歷時11個月實現(xiàn)由工程建設(shè)進(jìn)入生產(chǎn)運(yùn)營，充分彰顯了“合肥決心”、“金芯速度”。該項目的投產(chǎn)是公司發(fā)展道路上的又一個里程碑，對合肥發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)將起到一定的推動作用，也是合肥市政府聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)布局上取得的又一重大成果。

圖5 碳化硅單晶襯底生長爐

最后，參加儀式的領(lǐng)導(dǎo)、嘉賓、媒體記者一同前往碳化硅單晶襯底生產(chǎn)線參觀。該項目以能源行業(yè)急需的新型功率半導(dǎo)體器件為背景，通過研究和分析碳化硅單晶襯底中各種缺陷的形成、發(fā)展、分布規(guī)律以及它們之間的相互作用機(jī)理，解決了影響單晶質(zhì)量的原料提純與制備、單晶生長、單晶襯底加工等關(guān)鍵技術(shù)問題，開辟能夠有效降低大尺寸單晶關(guān)鍵缺陷密度并提高單晶質(zhì)量的新途徑，為國內(nèi)新型電力電子材料與器件的市場化應(yīng)用起到引領(lǐng)示范帶動作用。

圖6 生產(chǎn)線參觀講解

未來，公司將繼續(xù)秉承“創(chuàng)新、務(wù)實”的態(tài)度，抓住半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展的機(jī)會，在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品開發(fā)和市場應(yīng)用等方面不斷努力提升，不斷取得新成就，助力合肥半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展！