2019年8月底，世紀金光半導體模塊產品再添新成員，推出可滿足大功率轉換應用的1200V/600A全SiC模塊新品。本產品通過全新的模塊內部結構及散熱設計，實現了600A額定電流，由此，在工業設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。

據介紹，本次推出的1200V全SiC模塊系列產品，其電流分為600A和300A兩個等級，導通電阻分別為2.2mΩ和4.7mΩ。產品擁有L封裝和K封裝兩種半橋封裝形式。與前期推出的分立器件產品一樣，SiC模塊MOS芯片采用可靠性較高平面柵工藝，SBD芯片采用第二代JBS工藝，既可有效降低損耗，還保障運行中的高可靠性。

該系列產品的推出，將滿足功率轉換應用（譬如電機驅動器、逆變器、DC/DC變換器等）對于高能效SiC解決方案不斷快速增長的需求。

4產品特點及優勢

由于寬禁帶半導體材料特有的材料優勢，SiC 器件漂移區的阻抗比Si器件低，因此不需要進行電導率調制就能夠實現高耐壓和低電阻。可采用不產生拖尾電流MOSFET技術，所以碳化硅MOSFET替代 IGBT 時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。碳化硅MOSFET能夠更高頻條件下驅動，從而實現被動器件的小型化。同時，與之配對的碳化硅二極管技術，無少子存儲效應，可實現快速、穩定的恢復特性。

Cengol全碳化硅功率模塊與同規格的IGBT模塊開關損耗對比

（損耗數據來源業內最常用的一款IGBT模塊數據手冊）

備注：以上數據僅表示CENGOL的評估結果，僅供參考。此處的任何特性并非CENGOL的保證值。另，針對600A下SiC模塊的損耗，我們按照“在大電流下損耗同電流是近似線性關系”這一規律，折算出600A條件下SiC的損耗數據。

4目標電路示意

4新品陣容

世紀金光作為一家從設計研發到封裝測試為一體的第三代半導體IDM企業，其產品陣容囊括具有自主知識產權的6英寸碳化硅襯底、碳化硅單晶片、wafer、多種規格及封裝形式的碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模塊等一系列碳化硅全產業鏈產品。此次新品的推出，將進一步完善世紀金光模塊產品在大電流中的選型應用。

保持一貫的嚴謹細致的作風，世紀金光新品均經過嚴格的測評，可針對不同行業用戶提供選型送樣驗證服務，歡迎咨詢。

全碳化硅模塊選型：